Simultanes Ätzen unterschiedlich dotierter Bereiche bei der Produktion von Solarzellen

Bei der Herstellung von Solarzellen werden durch Einbringen von Dotanden gezielt Teilbereiche mit unterschiedlicher Polarität und mit unterschiedlich hoher Dotierung ausgebildet.

Da das derart entstandene Dotierkonzentrationsprofil des Halbleiters meist nachträglich optimiert werden muss, werden darauffolgend die einzelnen Dotierungsbereiche in mehreren Schritten selektiv rückgeätzt. Ein neues Verfahren könnte es nun ermöglichen, die Rückätzung aller Dotierungsbereiche in einem einzigen ggf. maskierten Ätzschritt simultan durchzuführen.

Ein neues Verfahren könnte es nun ermöglichen, die Rückätzung aller Dotierungsbereiche in einem einzigen ggf. maskierten Ätzschritt simultan durchzuführen. Das Verfahren ist bei verschiedensten Solarzellenkonzepten anwendbar und verringert den Zeit-, Material- und Prozessaufwand.

Kontakt: Dr.-Ing. Hubert Siller (hsiller(at)tlb.de), Technologie-Lizenz-Büro (TLB) GmbH